長江存儲武漢三期工程2025年9月動工，按半導體常規建廠週期本應2027年量產。但消息顯示，其近期密集採購NAND Flash生產設備並開展工廠啟動調試，進度大幅提前，動工至量產僅約一年，這在行業內極為罕見。消息人士指出，這是長江存儲的加速策略——工廠主體未完全完工時，同步搬入部分設備開展生產線早期調試運營。今年下半年就量產，速度非常快，因為NAND缺貨嚴重，單價升超過1倍，利潤極高。
長存三期（武漢）積體電路有限公司2025年9月5日成立，註冊資本207.2億元，由長江存儲持股50.19%、湖北長晟三期持股49.81%。湖北長晟三期由光谷金控、江城基金、長江產投按40%、40%、20%持股，代表省市區國資力量。三期加速是中國半導體產業優化管理與資本效率的突破，若2026年下半年如期量產，武漢將成為全球記憶體晶片版圖重要一極。
三星龍頭聚焦高利潤領域
此舉旨在搶抓NAND Flash市場“超級週期”，而三星最新財報恰印證了長江存儲策略的精准性。三星2025年四季度銷售額達93.84兆韓元（約658.6億美元，年增23.8%），營業利潤飆至20.74兆韓元（約145.5億美元，年增209.2%），創韓國企業歷史新高。半導體業務是核心驅動力，銷售額44兆韓元（約308.8億美元，年增46.2%），營業利潤16.4兆韓元（約115.1億美元，年增465%），貢獻總利潤近80%。
三星業績爆發源于聚焦高利潤領域，全力擴充HBM及DRAM產能，意圖奪回被SK海力士佔據的半導體王座（四季度SK海力士營收32.83兆韓元、淨利15.25兆韓元），其NAND市占率32%穩居全球第一，DRAM市占率距SK海力士僅差1%左右。
與此同時，消費電子業務疲軟，家電、電視連續兩季虧損。這種戰略傾斜，恰為長江存儲創造了NAND擴產視窗期。Counterpoint資料顯示，2025年一季度長江存儲NAND市占率首破10%，三季度升至13%，同比增長4%。
技術仍有差距
技術層面，長江存儲已掌握270層3D NAND技術，雖與三星286層、SK海力士321層仍有差距，但差距正快速縮小。憑藉持續資本投入和外部專家引進，其生產良率與穩定性獲高度認可，具備與頭部企業抗衡實力。Omdia預計，2025年長江存儲資本支出占全球NAND總投資的20%，投入力度領先同業，成長將持續加速。
劍指全球NAND市場第二
全球NAND市場主要參與者為三星、SK海力士、美光、鎧俠及長江存儲。若三期擴產如期完成，2026年其產能市占率或超20%，有望超越SK海力士、美光、鎧俠，躋身全球第二。
小結
留意長江存儲增產以及大陸的DRAM增產情況，預計存儲高峰期會在第二季達頂。2026年年底，可能增長會緩和，大家留意存儲行業或見週期高位。記得BTC 挖礦減半後，價格爆升超10萬美元，MSTR節節高升。早前BTC反彈95000的時候，MSTR仍然跌跌不休，股價高就腰斬！
